タワーセミコンダクター株式会社は専門のプロセス技術に主に焦点を当てた独立した半導体ファウンドリとして動作します。当社は、顧客の設計仕様に基づいて、集積回路（IC）の製造に焦点を当てています。当社は、主にサードパーティの設計に基づいて、その顧客のための半導体を製造しています。これは、150ミリメートルウエハー、0.35、0.18に0.35、0.50、0.55、0.60、0.80ミクロン以上のプロセス製造のジオメトリを提供しています。 0.16、0.13と200ミリメートルウエハー上の0.11ミクロン、および65ナノメートルと300ミリメートルウエハー上の45ナノメートル。また、設計支援と技術的なサービスを提供しています。同社のICは、家庭用電化製品、パーソナル・コンピュータ、通信、自動車産業、医療機器製品を含む市場での製品の範囲に組み込まれます。当社は米国、イスラエル、日本に製造拠点があります。
タワーセミコンダクター株式会社は専門のプロセス技術に主に焦点を当てた独立した半導体ファウンドリとして動作します。当社は、顧客の設計仕様に基づいて、集積回路（IC）の製造に焦点を当てています。当社は、主にサードパーティの設計に基づいて、その顧客のための半導体を製造しています。これは、150ミリメートルウエハー、0.35、0.18に0.35、0.50、0.55、0.60、0.80ミクロン以上のプロセス製造のジオメトリを提供しています。 0.16、0.13と200ミリメートルウエハー上の0.11ミクロン、および65ナノメートルと300ミリメートルウエハー上の45ナノメートル。また、設計支援と技術的なサービスを提供しています。同社のICは、家庭用電化製品、パーソナル・コンピュータ、通信、自動車産業、医療機器製品を含む市場での製品の範囲に組み込まれます。当社は米国、イスラエル、日本に製造拠点があります。
| （単位：百万円） | 希薄化後一株あたり利益 | 前年比 |
|---|---|---|
| 2022年12月 | 0.00000239 | +74.45% |
| 2021年12月 | 0.00000137 | +3.79% |
| 2018年12月 | 0.00000132 | -54.48% |
| 2017年12月 | 0.0000029 | +38.76% |
| 2016年12月 | 0.00000209 | -622.5% |
| 2015年12月 | -0.0000004 | -671.43% |
| 2014年12月 | 0.00000007 | -102.57% |
| 2013年12月 | -0.00000272 | -16.31% |
| 2012年12月 | -0.00000325 |
