Tower Semiconductor Ltd.【TSEM】 業績・財務データ NASDAQ

タワーセミコンダクター株式会社は専門のプロセス技術に主に焦点を当てた独立した半導体ファウンドリとして動作します。当社は、顧客の設計仕様に基づいて、集積回路(IC)の製造に焦点を当てています。当社は、主にサードパーティの設計に基づいて、その顧客のための半導体を製造しています。これは、150ミリメートルウエハー、0.35、0.18に0.35、0.50、0.55、0.60、0.80ミクロン以上のプロセス製造のジオメトリを提供しています。 0.16、0.13と200ミリメートルウエハー上の0.11ミクロン、および65ナノメートルと300ミリメートルウエハー上の45ナノメートル。また、設計支援と技術的なサービスを提供しています。同社のICは、家庭用電化製品、パーソナル・コンピュータ、通信、自動車産業、医療機器製品を含む市場での製品の範囲に組み込まれます。当社は米国、イスラエル、日本に製造拠点があります。

Tower Semiconductor Ltd.【TSEM】 業績・財務データ NASDAQ

タワーセミコンダクター株式会社は専門のプロセス技術に主に焦点を当てた独立した半導体ファウンドリとして動作します。当社は、顧客の設計仕様に基づいて、集積回路(IC)の製造に焦点を当てています。当社は、主にサードパーティの設計に基づいて、その顧客のための半導体を製造しています。これは、150ミリメートルウエハー、0.35、0.18に0.35、0.50、0.55、0.60、0.80ミクロン以上のプロセス製造のジオメトリを提供しています。 0.16、0.13と200ミリメートルウエハー上の0.11ミクロン、および65ナノメートルと300ミリメートルウエハー上の45ナノメートル。また、設計支援と技術的なサービスを提供しています。同社のICは、家庭用電化製品、パーソナル・コンピュータ、通信、自動車産業、医療機器製品を含む市場での製品の範囲に組み込まれます。当社は米国、イスラエル、日本に製造拠点があります。

Tower Semiconductor Ltd.の流動負債推移

(単位:百万円) 流動負債 前年比
2022年12月 387 +40.19%
2021年12月 276 +35.64%
2018年12月 203 -32.63%
2017年12月 302 +22.36%
2016年12月 247 +17.05%
2015年12月 211 -29.7%
2014年12月 300 +114.65%
2013年12月 139 -17.37%
2012年12月 169
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