Everspin Technologies, Inc.の流動負債推移
(単位:百万ドル) | 流動負債 | 前年比 |
---|---|---|
2023年12月 | 8 | -19.28% |
2022年12月 | 10 | +5.27% |
2021年12月 | 10 | +0.92% |
2020年12月 | 10 | +29.68% |
2019年12月 | 7 | -42.02% |
2018年12月 | 13 | +10.02% |
2017年12月 | 12 | +19.19% |
2016年12月 | 10 |
Everspin Technologies社は磁気抵抗メモリ(MRAM)ソリューションの米国ベースのプロバイダです。当社は市場やアプリケーションに設計、製造および出荷ディスクリートおよび組み込みMRAMおよびスピントルクをMRAM(ST-MRAM)に従事しています。スピントルクテクノロジー - 当社の製品は、8ビット/ 16ビットパラレルインターフェイスMRAM、シリアル・ペリフェラル・インタフェース(SPI)、クワッドSPIおよびダブルデータレート(DDR)3ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)互換性のMRAMを含みます。当社のMR10Q010クワッドSPI MRAMは、データやプログラムを格納および取得するアプリケーションのためのメモリソリューションです。そのDDR3 DRAMの互換性MRAMは - スピントルクテクノロジーは、オンデバイスのターミネーション(ODT)と内部ZQキャリブレーションなど、すべてのDDR3 DRAMの機能に準拠するように設計されています。 256キロバイト(KB)から16メガバイト(MB)までの範囲の密度の両方の並列非同期入力/出力(I / O)とシリアル・ペリフェラル・インタフェース(SPI)製品のその家族は、ダイ形式で提供されています。
Everspin Technologies社は磁気抵抗メモリ(MRAM)ソリューションの米国ベースのプロバイダです。当社は市場やアプリケーションに設計、製造および出荷ディスクリートおよび組み込みMRAMおよびスピントルクをMRAM(ST-MRAM)に従事しています。スピントルクテクノロジー - 当社の製品は、8ビット/ 16ビットパラレルインターフェイスMRAM、シリアル・ペリフェラル・インタフェース(SPI)、クワッドSPIおよびダブルデータレート(DDR)3ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)互換性のMRAMを含みます。当社のMR10Q010クワッドSPI MRAMは、データやプログラムを格納および取得するアプリケーションのためのメモリソリューションです。そのDDR3 DRAMの互換性MRAMは - スピントルクテクノロジーは、オンデバイスのターミネーション(ODT)と内部ZQキャリブレーションなど、すべてのDDR3 DRAMの機能に準拠するように設計されています。 256キロバイト(KB)から16メガバイト(MB)までの範囲の密度の両方の並列非同期入力/出力(I / O)とシリアル・ペリフェラル・インタフェース(SPI)製品のその家族は、ダイ形式で提供されています。
(単位:百万ドル) | 流動負債 | 前年比 |
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2023年12月 | 8 | -19.28% |
2022年12月 | 10 | +5.27% |
2021年12月 | 10 | +0.92% |
2020年12月 | 10 | +29.68% |
2019年12月 | 7 | -42.02% |
2018年12月 | 13 | +10.02% |
2017年12月 | 12 | +19.19% |
2016年12月 | 10 |